Principles of Semiconductor Devices
Námskeið
- EÐL301G Rafeindatækni fastra efna
Lýsing:
For the international second edition, the author builds upon and expands on hallmark features of the book established in the first edition, adding sections on new technology and increasing the number of end-of-chapter problems by 30%. Updated material relating to the environmental applications of technology was added , as well as a new chapter on nanoscale devices. Chapters on MOS capacitor and generation and recombination were also revised and updated.
The book is divided into 4 parts: Part I on Semiconductor Physics; Part II on the principles of operation and modeling of the fundamental junctions and transistors; Part III on the diode, MOSFET and BJT topics needed for circuit design, and Part IV on photonic devices, microwave FETs, negative-resistance diodes, and power devices. Within each part, material is presented hierarchically, with core topics first, followed by advanced topics.
Annað
- Höfundur: Sima Dimitrijev
- Útgáfa:2
- Útgáfudagur: 14-10-2011
- Engar takmarkanir á útprentun
- Engar takmarkanir afritun
- Format:Page Fidelity
- ISBN 13: 9780197602225
- Print ISBN: 9780199896349
- ISBN 10: 0197602223
Efnisyfirlit
- Contents
- Preface
- PART I: INTRODUCTION TO SEMICONDUCTORS
- 1 Introduction to Crystals and Current Carriers in Semiconductors: The Atomic-Bond Model
- 1.1 INTRODUCTION TO CRYSTALS
- 1.2 CURRENT CARRIERS
- *1.3 BASICS OF CRYSTAL GROWTH AND DOPING TECHNIQUES
- Summary
- Problems
- Review Questions
- 2 The Energy-Band Model
- 2.1 ELECTRONS AS WAVES
- 2.2 ENERGY LEVELS IN ATOMS AND ENERGY BANDS IN CRYSTALS
- 2.3 ELECTRONS AND HOLES AS PARTICLES
- 2.4 POPULATION OF ELECTRON STATES: CONCENTRATIONS OF ELECTRONS AND HOLES
- Summary
- Problems
- Review Questions
- 3 Drift
- 3.1 ENERGY BANDS WITH APPLIED ELECTRIC FIELD
- 3.2 OHM'S LAW, SHEET RESISTANCE, AND CONDUCTIVITY
- 3.3 CARRIER MOBILITY
- Summary
- Problems
- Review Questions
- 4 Diffusion
- 4.1 DIFFUSION-CURRENT EQUATION
- 4.2 DIFFUSION COEFFICIENT
- 4.3 BASIC CONTINUITY EQUATION
- Summary
- Problems
- Review Questions
- 5 Generation and Recombination
- 5.1 GENERATION AND RECOMBINATION MECHANISMS
- 5.2 GENERAL FORM OF THE CONTINUITY EQUATION
- 5.3 GENERATION AND RECOMBINATION PHYSICS AND SHOCKLEY–READ–HALL (SRH) THEORY
- Summary
- Problems
- Review Questions
- 1 Introduction to Crystals and Current Carriers in Semiconductors: The Atomic-Bond Model
- 6 Junctions
- 6.1 P–N JUNCTION PRINCIPLES
- 6.2 DC MODEL
- 6.3 CAPACITANCE OF REVERSE-BIASED P–N JUNCTION
- 6.4 STORED-CHARGE EFFECTS
- 6.5 METAL–SEMICONDUCTOR CONTACT
- Summary
- Problems
- Review Questions
- 7 MOSFET
- 7.1 MOS CAPACITOR
- 7.2 MOSFET PRINCIPLES
- 7.3 PRINCIPAL CURRENT–VOLTAGE CHARACTERISTICS AND EQUATIONS
- 7.4 SECOND-ORDER EFFECTS
- 7.5 NANOSCALE MOSFETs
- *7.6 MOS-BASED MEMORY DEVICES
- Summary
- Problems
- Review Questions
- 8 BJT
- 8.1 BJT PRINCIPLES
- 8.2 PRINCIPAL CURRENT–VOLTAGE CHARACTERISTICS: EBERS–MOLL MODEL IN SPICE
- 8.3 SECOND-ORDER EFFECTS
- 8.4 HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR
- Summary
- Problems
- Review Questions
- 9 Physics of Nanoscale Devices
- 9.1 SINGLE-CARRIER EVENTS
- 9.2 TWO-DIMENSIONAL TRANSPORT IN MOSFETs AND HEMTs
- 9.3 ONE-DIMENSIONAL TRANSPORT IN NANOWIRES AND CARBON NANOTUBES
- Summary
- Problems
- Review Questions
- 10 Device Electronics: Equivalent Circuits and SPICE Parameters
- 10.1 DIODES
- 10.2 MOSFET
- 10.3 BJT
- Summary
- Problems
- Review Questions
- 11 Photonic Devices
- 11.1 LIGHT-EMITTING DIODES (LED)
- 11.2 PHOTODETECTORS AND SOLAR CELLS
- 11.3 LASERS
- Summary
- Problems
- Review Questions
- 12 JFET and MESFET
- 12.1 JFET
- 12.2 MESFET
- Summary
- Problems
- Review Questions
- 13 Power Devices
- 13.1 POWER DIODES
- 13.2 POWER MOSFET
- 13.3 IGBT
- 13.4 THYRISTOR
- Summary
- Problems
- Review Questions
- A
- B
- C
- D
- E
- F
- G
- H
- I
- J
- K
- L
- M
- N
- O
- P
- Q
- R
- S
- T
- U
- V
- W
- Z
UM RAFBÆKUR Á HEIMKAUP.IS
Bókahillan þín er þitt svæði og þar eru bækurnar þínar geymdar. Þú kemst í bókahilluna þína hvar og hvenær sem er í tölvu eða snjalltæki. Einfalt og þægilegt!Rafbók til eignar
Rafbók til eignar þarf að hlaða niður á þau tæki sem þú vilt nota innan eins árs frá því bókin er keypt.
Þú kemst í bækurnar hvar sem er
Þú getur nálgast allar raf(skóla)bækurnar þínar á einu augabragði, hvar og hvenær sem er í bókahillunni þinni. Engin taska, enginn kyndill og ekkert vesen (hvað þá yfirvigt).
Auðvelt að fletta og leita
Þú getur flakkað milli síðna og kafla eins og þér hentar best og farið beint í ákveðna kafla úr efnisyfirlitinu. Í leitinni finnur þú orð, kafla eða síður í einum smelli.
Glósur og yfirstrikanir
Þú getur auðkennt textabrot með mismunandi litum og skrifað glósur að vild í rafbókina. Þú getur jafnvel séð glósur og yfirstrikanir hjá bekkjarsystkinum og kennara ef þeir leyfa það. Allt á einum stað.
Hvað viltu sjá? / Þú ræður hvernig síðan lítur út
Þú lagar síðuna að þínum þörfum. Stækkaðu eða minnkaðu myndir og texta með multi-level zoom til að sjá síðuna eins og þér hentar best í þínu námi.
Fleiri góðir kostir
- Þú getur prentað síður úr bókinni (innan þeirra marka sem útgefandinn setur)
- Möguleiki á tengingu við annað stafrænt og gagnvirkt efni, svo sem myndbönd eða spurningar úr efninu
- Auðvelt að afrita og líma efni/texta fyrir t.d. heimaverkefni eða ritgerðir
- Styður tækni sem hjálpar nemendum með sjón- eða heyrnarskerðingu
- Gerð : 208
- Höfundur : 16937
- Útgáfuár : 2011
- Leyfi : 380